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                                                郵 箱:gkt@szgkt.com
                                                網 址:www.omniworldview.com
                                                地 址:深圳市寶安45區翻身路富源大廈6樓
                                                 
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                                                單向可控硅

                                                上一篇:BT139 series

                                                下一篇:BT151 500R

                                                • 名稱: BT151SCRs
                                                • 類別: 單向可控硅
                                                  •   
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                                                  詳細介紹:

                                                 

                                                 DESCRIPTION:

                                                 

                                                 Passivated thyristor in a plastic envelope, intended for use in applications requiring high

                                                 bidirectional transient and blocking voltage capability and high thermal cycling perform-

                                                 ance. Typical applications include motor control, industrial and domestic lighting, heating

                                                 and static switching. 

                                                 

                                                 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:

                                                SYMBOL

                                                PARAMETER

                                                RATING

                                                UNIT

                                                VDRM

                                                VRRM

                                                151-500

                                                500

                                                V

                                                151-650

                                                650

                                                151-800

                                                800

                                                IT(RMS)

                                                RMS on-state current(all condition angles)

                                                4

                                                A

                                                ITSM

                                                Non-repetitive peak on-state current

                                                (half sine wave, Tj=25)

                                                t=10ms

                                                35

                                                A

                                                t=8.3ms

                                                38

                                                Tstg

                                                Storage junction temperature rage

                                                -40 to +150

                                                Tj

                                                Operating junction temperature rage

                                                -40 to +125

                                                 

                                                 STATIC CHARACTERISTICS:

                                                SYMBOL

                                                PARAMETER

                                                CONDITION

                                                MIN

                                                TYP

                                                MAX

                                                UNIT

                                                IGT

                                                Gate trigger current

                                                    VD=12V, IT=0.1A           

                                                10

                                                50

                                                uA

                                                VGT

                                                Gate trigger current

                                                    VD=12V, IT=0.1A

                                                -

                                                0.4

                                                1.5

                                                V

                                                VD=VDRM (max), IT=0.1A, Tj=110

                                                0.1

                                                0.2

                                                -

                                                V

                                                dVD/dt

                                                Critical rate of rise of off-state voltage

                                                VD=67%VDRM (max) , Tj=125

                                                exponential waveform,RGK=100Ω 

                                                -

                                                50

                                                -

                                                V/us

                                                tgt

                                                Gate controlled turn-on  time

                                                ITM=10A, VD=VDRM (max),

                                                IG=5mA, dIG/dt=2A/us

                                                -

                                                2

                                                -

                                                us




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