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                                                聯系人:翁小姐
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                                                電 話:0755-27578368 / 27578409 / 27578291
                                                傳 真:0755-27578290 / 27589393
                                                郵 箱:gkt@szgkt.com
                                                網 址:www.omniworldview.com
                                                地 址:深圳市寶安45區翻身路富源大廈6樓
                                                 
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                                                普通三極管

                                                上一篇:T405/T410/T435

                                                下一篇:D882

                                                • 名稱: 8550
                                                • 類別: 普通三極管
                                                  •   
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                                                  詳細介紹:

                                                 

                                                 GENERAL DESCRIPTION:

                                                 The 8550 is a PNP epitaxial silicon planer transistor designed for use in the audio

                                                 output stage and converter/inverter circuits. Complementary to 8050.

                                                 

                                                 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:

                                                Symbol

                                                Parameter

                                                Value

                                                Units

                                                VCBO

                                                Collector-Base Voltage

                                                30

                                                V

                                                VCEO

                                                Collector-Emitter Voltage

                                                25

                                                V

                                                VEBO

                                                Emitter-Base Voltage

                                                6

                                                V

                                                Ic

                                                Collector Current -Continuous

                                                1.5

                                                A

                                                Tj

                                                Junction Temperature

                                                135

                                                Tstg

                                                Storage TemperatureRange

                                                -55~135

                                                 

                                                 ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

                                                  

                                                Symbol

                                                Test conditions

                                                MIN

                                                TYP

                                                MAX

                                                Unit

                                                V(BR)CBO

                                                Ic=100uA, IE=0

                                                30

                                                V

                                                V(BR)CEO

                                                IC= 10mA, IB=0

                                                25

                                                V

                                                V(BR)EBO

                                                IE= 100uA, IC=0

                                                6

                                                V

                                                ICBO

                                                VCB=20V, IE=0

                                                0.1

                                                uA

                                                HFE(1)

                                                VCE= 1V, IC= 100mA

                                                85

                                                300

                                                HFE(2)

                                                VCE=41V, IC= 800mA

                                                40

                                                VCE(sat)

                                                IC=800mA, IB=80mA

                                                0.2

                                                0.5

                                                V

                                                VBE(sat)

                                                IC=800mA, IB=80mA

                                                0.92

                                                1.2

                                                V

                                                hfe

                                                VCE=10V , IC=50mA

                                                f =1MHz

                                                1.0

                                                MHz


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